深圳市金和信科技有限公司

供应， K4A8G165WC-BCTD，SAMSUNG/三星

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8Gb DDR4 SDRAM B管芯组织为64Mbit x 16 I/O x 8存储库

装置这种同步设备实现了高速双倍数据速率

传输速率高达2666Mb/秒/引脚（DDR4-2666），适用于一般应用。

该芯片的设计符合以下DDR4 SDRAM的关键功能

如张贴的CAS、可编程CWL、内部（自）校准、，

使用ODT引脚和异步复位的片上端接。

所有的控制和地址输入都与一对外部同步

提供的差分时钟。输入锁定在差速器的交叉点

时钟（CK上升和CK下降）。所有I/O都与

一对双向选通管（DQS和DQS）。

地址总线用于传输行、列和存储体地址

RAS/neneneba CAS多路复用方式的信息。DDR4设备运行

单路1.2V（1.14V~1.26V）电源，1.2V（1.14V~1.26V）VDDQ

和2.5V（2.375V~2.75V）VPP。

8Gb DDR4 B芯片设备有96球FBGA（x16）。

JEDEC标准1.2V（1.14V~1.26V）

?VDDQ和1.2V（1.14V~1.26V）

?VPP 2.5伏（2.375伏~2.75伏）

?800 MHz fCK适用于1600Mb/sec/引脚，933 MHz fCK用于1866Mb/sec/引脚，

2133Mb/秒/引脚的1067MHz fCK、2400Mb/秒-引脚的1200MHz fCK，

1333MHz fCK，用于2666Mb/秒/引脚

?8家银行（2个银行集团）

?可编程CAS延迟（发布于CAS）：

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20

?可编程CAS写入延迟（CWL）=9.11（DDR4-1600），10.12

（DDR4-1866）、11,14（DDR4-2133）、12,16（DDR4-2400）和14,18（DDR4-2500）

2666）

?8位预取

?突发长度：8，4，tCCD N4不允许无缝读取或

写[使用A12或MRS动态]

?双向差分数据选通

?内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准

（RZQ:240欧姆?1%）

?使用ODT引脚的片上端接

?低于TCASE 85?C时的平均刷新周期为7.8us，85?C下为3.9us<

TCASE<95?C

?支持工业温度（-40?C）

-tREFI 7.8us，-40?C≤TCASE≤85?C

-tREFI 3.9us，85?C<TCASE≤95?C

?异步复位

?包装：96球FBGA px16

?所有无铅产品均符合RoHS

?所有产品均不含卤素

?用于读/写数据安全的CRC（循环冗余校验）

?命令地址奇偶校验

?DBI（数据总线反转）

?减速模式

?用于数据输入/输出的POD（伪开放式排水）接口

?用于数据输入的内部VREF

?用于DRAM激活电源的外部VPP

?支持PPR和sPPR